三星於2022年6月底宣布,三星代工廠開始量產3nm晶片。它依賴新型環柵 (GAA) 電晶體架構,消除了 FinFET 架構的限制。
三星代工已開始量產3nm晶片
三星承諾在 3nm 製程上實現更好的性能和更低的能耗
在3nm晶片的生產上,是第一代。與 5nm 晶片相比,三星預計效能提升高達 23%,能耗降低高達 45%。同時,晶片面積縮小了16%。三星預計第二代 3nm 晶片的結果會更好。與 5nm 相比,它的能耗降低了 50%,性能提高了 30%,面積縮小了 35%。
三星晶片的演變
如前所述,三星依靠環柵 (GAA) 電晶體架構和多橋通道 FET (MBCFET) 技術來生產 3nm 晶片。借助 MBCFET,他們轉向了可以垂直堆疊的奈米層晶體管。這種方法有幾個優點,其中包括他們可以使用 FinFET 擁有的工具和生產方法。
三星代工廠的新型電晶體結構:MBCFET™
三星3nm晶片超越台積電
宣布開始生產3nm晶片,是三星在與台積電競爭中邁出的一大步。也就是說,台積電在為其他客戶生產晶片方面佔據主導地位。同時,它也是蘋果設備iPhone、iPad、MacBook和Mac的晶片製造商。台積電已宣布將於 2022 年下半年開始生產 3nm 晶片。
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